창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF3007SPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRF3007S/LPbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 설계/사양 | Copper Plating Update 31/Aug/2015 Material Chg 24/Nov/2015 | |
PCN 조립/원산지 | Alternate Assembly Site 11/Nov/2013 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1516 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 62A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 12.6m옴 @ 48A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 130nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3270pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 120W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | *IRF3007SPBF SP001553924 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRF3007SPBF | |
관련 링크 | IRF30, IRF3007SPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
![]() | GJM1555C1H2R0BB01D | 2pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GJM1555C1H2R0BB01D.pdf | |
![]() | GRM0336R1E6R1CD01D | 6.1pF 25V 세라믹 커패시터 R2H 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM0336R1E6R1CD01D.pdf | |
![]() | B32021A3152M289 | 1500pF Film Capacitor 300V 1500V (1.5kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.512" L x 0.157" W (13.00mm x 4.00mm) | B32021A3152M289.pdf | |
![]() | V480LT80CPX10 | VARISTOR 750V 10KA DISC 20MM | V480LT80CPX10.pdf | |
![]() | ASPI-0418S-151M-T3 | 150µH Shielded Wirewound Inductor 419 mOhm Nonstandard | ASPI-0418S-151M-T3.pdf | |
![]() | AISC-1210H-8R2N-T | 8.2µH Unshielded Wirewound Inductor 700mA 450 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | AISC-1210H-8R2N-T.pdf | |
![]() | CLS62NP-821MC | 820µH Shielded Inductor 80mA 9.68 Ohm Max 4-SMD | CLS62NP-821MC.pdf | |
![]() | RMCF2010FT825R | RES SMD 825 OHM 1% 3/4W 2010 | RMCF2010FT825R.pdf | |
![]() | RC2512FK-071K78L | RES SMD 1.78K OHM 1% 1W 2512 | RC2512FK-071K78L.pdf | |
![]() | RT0805CRC073KL | RES SMD 3K OHM 0.25% 1/8W 0805 | RT0805CRC073KL.pdf | |
![]() | CRCW06034K42DKEAP | RES SMD 4.42KOHM 0.5% 1/10W 0603 | CRCW06034K42DKEAP.pdf | |
![]() | KAF-0402-ABA-CD-B2 | CCD Image Sensor 768H x 512V 9µm x 9µm 24-CDIP | KAF-0402-ABA-CD-B2.pdf |