Infineon Technologies IRF8707GTRPBF
- 제조업체 부품 번호
- IRF8707GTRPBF
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IRF8707GTRPBF 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 213.49786
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IRF8707GTRPBF, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IRF8707GTRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF8707GTRPBF, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IRF8707GTRPBF 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IRF8707GTRPBF 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF8707GTRPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IRF8707GPbF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
| PCN 조립/원산지 | Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 카탈로그 페이지 | 1518 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 11.9m옴 @ 11A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.35V @ 25µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 9.3nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 760pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 다른 이름 | IRF8707GTRPBFTR SP001566566 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IRF8707GTRPBF | |
| 관련 링크 | IRF870, IRF8707GTRPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IRF8707GTRPBF 의 관련 제품
 | MVE16VE332MM17TR | 3300µF 16V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 171 mOhm 2000 Hrs @ 105°C | MVE16VE332MM17TR.pdf | |
.jpg) | 501S42E180GV4E | 18pF 500V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | 501S42E180GV4E.pdf | |
| MR065A103FAA | 10000pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.290" L x 0.090" W(7.36mm x 2.28mm) | MR065A103FAA.pdf | |
| MKT1813415016G | 0.15µF Film Capacitor 63V 100V Polyester, Metallized Axial 0.217" Dia x 0.433" L (5.50mm x 11.00mm) | MKT1813415016G.pdf | |
 | 020802.5MXEP | FUSE GLASS 2.5A 350VAC 2AG | 020802.5MXEP.pdf | |
 | 1SMC6.0AT3G | TVS DIODE 6VWM 10.3VC SMC | 1SMC6.0AT3G.pdf | |
 | S10K320E2K1 | VARISTOR 510V 3.5KA DISC 10MM | S10K320E2K1.pdf | |
 | 416F38411ASR | 38.4MHz ±10ppm 수정 시리즈 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F38411ASR.pdf | |
 | MBR10H90CT-E3/45 | DIODE ARRAY SCHOTTKY 90V TO220AC | MBR10H90CT-E3/45.pdf | |
 | B82477G2154M | 150µH Shielded Wirewound Inductor 1A 230 mOhm Max Nonstandard | B82477G2154M.pdf | |
 | RG1608P-1073-B-T5 | RES SMD 107K OHM 0.1% 1/10W 0603 | RG1608P-1073-B-T5.pdf | |
-TNPW-SERIES.jpg) | TNPW060310R5BEEA | RES SMD 10.5 OHM 0.1% 1/10W 0603 | TNPW060310R5BEEA.pdf |
