창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFB7730PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRF(B,S,SL)7730PbF | |
주요제품 | IR - StrongIRFET™ Through-hole Power MOSFETs Automatic Opening Systems | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 195A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.6m옴 @ 100A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.7V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 407nC @ 10V | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 13660pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 375W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | SP001556128 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRFB7730PBF | |
관련 링크 | IRFB7, IRFB7730PBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | RG2012N-64R9-D-T5 | RES SMD 64.9 OHM 0.5% 1/8W 0805 | RG2012N-64R9-D-T5.pdf | |
![]() | CRGH2512F1K18 | RES SMD 1.18K OHM 1% 2W 2512 | CRGH2512F1K18.pdf | |
![]() | RG1005V-2611-W-T1 | RES SMD 2.61K OHM 1/16W 0402 | RG1005V-2611-W-T1.pdf | |
![]() | CRCW06033K90JNEAHP | RES SMD 3.9K OHM 5% 1/4W 0603 | CRCW06033K90JNEAHP.pdf | |
![]() | CMF551K1570FHBF | RES 1.157K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF551K1570FHBF.pdf | |
![]() | CMF5517K200BER670 | RES 17.2K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF5517K200BER670.pdf | |
![]() | UCC28C42DGK | Converter Offline Forward Topology Up to 1MHz 8-VSSOP | UCC28C42DGK.pdf |