창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFD9024PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRFD9024 | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1523 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.6A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 280m옴 @ 960mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 19nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 570pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1.3W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 4-DIP(0.300", 7.62mm) | |
공급 장치 패키지 | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | *IRFD9024PBF | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRFD9024PBF | |
관련 링크 | IRFD9, IRFD9024PBF Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
885012007010 | 10pF 16V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | 885012007010.pdf | ||
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TR3D476K020C0100 | 47µF Molded Tantalum Capacitors 20V 2917 (7343 Metric) 100 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | TR3D476K020C0100.pdf | ||
CX2520DB16000D0GEJZ1 | 16MHz ±15ppm 수정 8pF 100옴 -10°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | CX2520DB16000D0GEJZ1.pdf | ||
FVXO-PC73B-622.08 | 622.08MHz LVPECL VCXO Oscillator Surface Mount 3.3V 120mA Enable/Disable | FVXO-PC73B-622.08.pdf | ||
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IHSM7832EB220L | 22µH Unshielded Inductor 3.8A 54 mOhm Max Nonstandard | IHSM7832EB220L.pdf | ||
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RT0603WRE0730KL | RES SMD 30K OHM 0.05% 1/10W 0603 | RT0603WRE0730KL.pdf | ||
Y16252K78000T0R | RES SMD 2.78KOHM 0.01% 0.3W 1206 | Y16252K78000T0R.pdf | ||
ERG-1SJ120 | RES 12 OHM 1W 5% AXIAL | ERG-1SJ120.pdf | ||
RSF1FT51R1 | RES MO 1W 51.1 OHM 1% AXIAL | RSF1FT51R1.pdf |