창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFHM4226TRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRFHM4226TRPbF | |
제품 교육 모듈 | Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
주요제품 | FastIRFET™ Power MOSFET | |
PCN 단종/ EOL | Multi Mosfet EOL 2/Mar/2016 | |
PCN 설계/사양 | IRFHM4226 Datasheet Update 10/Oct/2014 | |
PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 생산 종료 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 28A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.2m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.1V @ 50µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 32nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2000pF @ 13V | |
전력 - 최대 | 2.7W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-TQFN 노출형 패드 | |
공급 장치 패키지 | * | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | IRFHM4226TRPBFTR SP001556568 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRFHM4226TRPBF | |
관련 링크 | IRFHM42, IRFHM4226TRPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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VS-8ETL06-1PBF | DIODE GEN PURP 600V 8A TO262 | VS-8ETL06-1PBF.pdf | ||
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![]() | MBB02070C9532DC100 | RES 95.3K OHM 0.6W 0.5% AXIAL | MBB02070C9532DC100.pdf | |
![]() | CMF555M1100GNEB | RES 5.11M OHM 1/2W 2% AXIAL | CMF555M1100GNEB.pdf | |
![]() | H446R4BYA | RES 46.4 OHM 1/2W 0.1% AXIAL | H446R4BYA.pdf | |
![]() | Y92E-E18M | SENS CAP POLYALLYLATE RESIN M18 | Y92E-E18M.pdf |