Infineon Technologies IRLSL4030PBF

IRLSL4030PBF
제조업체 부품 번호
IRLSL4030PBF
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 100V 180A TO-262
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IRLSL4030PBF 매개 변수
내부 부품 번호EIS-IRLSL4030PBF
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서IRLS(L)4030PBF
제품 교육 모듈High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
설계 리소스IRLS4030PBF Saber Model
IRLS4030PBF Spice Model
PCN 설계/사양Copper Plating Update 31/Aug/2015
PCN 조립/원산지TO-262 FET 04/Jul/2013
Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013
PCN 포장Package Drawing Update 19/Aug/2015
카탈로그 페이지 1514 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열HEXFET®
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)100V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C180A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs4.3m옴 @ 110A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs130nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds11360pF @ 50V
전력 - 최대370W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA
공급 장치 패키지TO-262
표준 포장 50
다른 이름SP001558626
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)IRLSL4030PBF
관련 링크IRLSL4, IRLSL4030PBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor
IRLSL4030PBF 의 관련 제품
0.015µF 630V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) C3225C0G2J153K160AA.pdf
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8.2pF 500V 세라믹 커패시터 A 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) SQCB7A8R2JA1ME.pdf
68pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1808(4520 미터법) 0.186" L x 0.080" W(4.72mm x 2.03mm) VJ1808A680KBFAT4X.pdf
FUSE BOARD MNT 500MA 125VAC/VDC 0473.500MRT1L.pdf
DIODE SW 35V 100MA 2EMD TR 1SS390TE61.pdf
RES CHAS MNT 5.6K OHM 5% 25W THS255K6J.pdf
RES SMD 78.7K OHM 1% 1/10W 0603 CRCW060378K7FKEA.pdf
RES SMD 0.033 OHM 1% 1W 2512 WSLS2512R0330FHEB.pdf
RES 75 OHM 15W 10% AXIAL CP001575R00KB143.pdf
RF Switch IC General Purpose SPDT 18GHz 50 Ohm Module ARV22N4H.pdf