창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRLSL4030PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRLS(L)4030PBF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRLS4030PBF Saber Model IRLS4030PBF Spice Model | |
PCN 설계/사양 | Copper Plating Update 31/Aug/2015 | |
PCN 조립/원산지 | TO-262 FET 04/Jul/2013 Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1514 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 180A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.3m옴 @ 110A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 130nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 11360pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 370W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
공급 장치 패키지 | TO-262 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | SP001558626 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRLSL4030PBF | |
관련 링크 | IRLSL4, IRLSL4030PBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
![]() | C1812X473KDRACTU | 0.047µF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | C1812X473KDRACTU.pdf | |
![]() | VJ2225A472KBBAT4X | 4700pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 2225(5763 미터법) 0.226" L x 0.250" W(5.74mm x 6.35mm) | VJ2225A472KBBAT4X.pdf | |
![]() | BFC233990036 | 0.047µF Film Capacitor 310V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.197" W (17.50mm x 5.00mm) | BFC233990036.pdf | |
![]() | T550B107K040AH4250 | 100µF Hermetically Sealed Tantalum - Polymer Capacitors 40V Axial 150 mOhm 0.281" Dia x 0.641" L (7.14mm x 16.28mm) | T550B107K040AH4250.pdf | |
![]() | ABM8-40.000MHZ-10-1-U-T | 40MHz ±10ppm 수정 10pF 35옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABM8-40.000MHZ-10-1-U-T.pdf | |
![]() | MBRB10H35HE3/81 | DIODE SCHOTTKY 35V 10A TO263AB | MBRB10H35HE3/81.pdf | |
![]() | P160R-152HS | 1.5µH Unshielded Inductor 1.195A 86 mOhm Max Nonstandard | P160R-152HS.pdf | |
![]() | LVK12R020DER | RES SMD 0.02 OHM 0.5% 1/2W 1206 | LVK12R020DER.pdf | |
![]() | CRCW251210R5FKEG | RES SMD 10.5 OHM 1% 1W 2512 | CRCW251210R5FKEG.pdf | |
![]() | AF1210JR-072M7L | RES SMD 2.7M OHM 5% 1/2W 1210 | AF1210JR-072M7L.pdf | |
![]() | RCP1206W470RJS3 | RES SMD 470 OHM 5% 11W 1206 | RCP1206W470RJS3.pdf | |
![]() | CMF651M2000DHR6 | RES 1.2M OHM 1.5W 0.5% AXIAL | CMF651M2000DHR6.pdf |