IXYS IXFA130N10T2
IXFA130N10T2 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 3,419.34000
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IXFA130N10T2, we specialize in all series IXYS electronic components. IXFA130N10T2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFA130N10T2, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IXFA130N10T2 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IXFA130N10T2 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFA130N10T2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IXFx130N10T2 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 130A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9.1m옴 @ 65A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 130nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6600pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 360W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | TO-263(IXFA) | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IXFA130N10T2 | |
| 관련 링크 | IXFA13, IXFA130N10T2 Datasheet, IXYS Distributor | |
IXFA130N10T2 의 관련 제품
 | B41828A5157M | 150µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 105°C | B41828A5157M.pdf | |
 | UHV-252A | 200pF 50000V(50kV) 세라믹 커패시터 Z5T 디스크, 금속 피팅 - 스레딩 1.181" Dia x 1.378" L(30.00mm x 35.00mm) | UHV-252A.pdf | |
 | 06031U180JAT2A | 18pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.060" L x 0.030" W(1.52mm x 0.76mm) | 06031U180JAT2A.pdf | |
| A1225UA4LRP | SIDACTOR 4CHIPS 100/230V 150A MS | A1225UA4LRP.pdf | |
 | 9C-19.6608MAAE-T | 19.6608MHz ±30ppm 수정 12pF 30옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC-49S | 9C-19.6608MAAE-T.pdf | |
 | NTMD3P03R2G | MOSFET 2P-CH 30V 2.34A 8SOIC | NTMD3P03R2G.pdf | |
 | ISC1210EBR10M | 100nH Shielded Wirewound Inductor 450mA 500 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | ISC1210EBR10M.pdf | |
 | PAT1206E10R0BST1 | RES SMD 10 OHM 0.1% 0.4W 1206 | PAT1206E10R0BST1.pdf | |
.jpg) | KTR10EZPF3320 | RES SMD 332 OHM 1% 1/8W 0805 | KTR10EZPF3320.pdf | |
.jpg) | SR1206MR-0712RL | RES SMD 12 OHM 20% 1/4W 1206 | SR1206MR-0712RL.pdf | |
.jpg) | RP73D2B5K76BTG | RES SMD 5.76K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RP73D2B5K76BTG.pdf | |
| ECHO21/X/X/S/S/26 | 25X25X4MM DIELECTRIC SURFACE MOU | ECHO21/X/X/S/S/26.pdf |
