창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NP180N04TUJ-E1-AY | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | NP180N04TUJ | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Compliance | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fabrication Site Change 10/Oct/2013 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Renesas Electronics America | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 180A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.5m옴 @ 90A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 230nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 14250pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1.8W | |
작동 온도 | 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-7, D²Pak(6리드(lead)+탭) | |
공급 장치 패키지 | TO-263-7 | |
표준 포장 | 800 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | NP180N04TUJ-E1-AY | |
관련 링크 | NP180N04, NP180N04TUJ-E1-AY Datasheet, Renesas Electronics America Distributor |
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GRM0337U1H6R3DD01D | 6.3pF 50V 세라믹 커패시터 U2J 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM0337U1H6R3DD01D.pdf | ||
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