창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PDTA114ET,215 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | PDTA114E Series | |
PCN 설계/사양 | Resin Hardener 02/Jul/2013 | |
PCN 포장 | Lighter Reels 02/Jan/2014 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | PNP - 사전 바이어스됨 | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
저항기 - 베이스(R1)(옴) | 10k | |
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 10k | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 1µA | |
주파수 - 트랜지션 | - | |
전력 - 최대 | 250mW | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23(TO-236AB) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 568-6425-2 934031060215 PDTA114ET T/R PDTA114ET T/R-ND PDTA114ET,215-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | PDTA114ET,215 | |
관련 링크 | PDTA11, PDTA114ET,215 Datasheet, NXP Semiconductors Distributor |
![]() | UVZ1C101MDH | 100µF 16V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 105°C | UVZ1C101MDH.pdf | |
![]() | B41851F7107M8 | 100µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can 2.3 Ohm @ 120Hz 2000 Hrs @ 105°C | B41851F7107M8.pdf | |
![]() | GRM0335C1H7R0CA01J | 7pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM0335C1H7R0CA01J.pdf | |
![]() | S222K43X7RN6TJ7R | 2200pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 X7R 방사형, 디스크 | S222K43X7RN6TJ7R.pdf | |
![]() | WYO332MCMCRAKR | 3300pF 440VAC 세라믹 커패시터 Y5U(E) 방사형, 디스크 0.394" Dia(10.00mm) | WYO332MCMCRAKR.pdf | |
![]() | SG-210STF 22.5792ML3 | 22.5792MHz CMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 1.6 V ~ 3.6 V 2.2mA Standby (Power Down) | SG-210STF 22.5792ML3.pdf | |
![]() | SIT8008BI-82-33E-91.500000X | OSC XO 3.3V 91.5MHZ OE | SIT8008BI-82-33E-91.500000X.pdf | |
![]() | FDFME2P823ZT | MOSFET P-CH 20V 2.6A 6MICROFET | FDFME2P823ZT.pdf | |
DRA125-1R0-R | 1µH Shielded Wirewound Inductor 15.94A 2.1 mOhm Nonstandard | DRA125-1R0-R.pdf | ||
![]() | 1140-100K-RC | 10µH Unshielded Wirewound Inductor 21.8A 5 mOhm Max Radial | 1140-100K-RC.pdf | |
![]() | AA1206FR-075K9L | RES SMD 5.9K OHM 1% 1/4W 1206 | AA1206FR-075K9L.pdf | |
![]() | HRG3216P-1071-D-T5 | RES SMD 1.07K OHM 0.5% 1W 1206 | HRG3216P-1071-D-T5.pdf |