NXP Semiconductors PMDPB58UPE,115

PMDPB58UPE,115
제조업체 부품 번호
PMDPB58UPE,115
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET 2P-CH 20V 3.6A HUSON6
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내부 부품 번호EIS-PMDPB58UPE,115
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서PMDPB58UPE
주요제품NXP - RDS(on) MOSFETs in Ultra-Small Packages
PCN 설계/사양PMDPB58UPE Datasheet Update 5/Nov/2015
PCN 포장Lighter Reels 02/Jan/2014
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체NXP Semiconductors
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형2 P-Chan(이중)
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)20V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C3.6A
Rds On(최대) @ Id, Vgs67m옴 @ 2A, 4.5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)950mV @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs9.5nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds804pF @ 10V
전력 - 최대515mW
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스6-UDFN 노출형 패드
공급 장치 패키지6-HUSON(2x2)
표준 포장 3,000
다른 이름568-10442-2
934066845115
PMDPB58UPE,115-ND
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)PMDPB58UPE,115
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