창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIZ916DT-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SiZ916DT | |
제품 교육 모듈 | 30 V TrenchFET Gen IV MOSFET and PowerPAIR | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N 채널(하프브리지) | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16A, 40A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.4밀리옴 @ 19A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 26nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1208pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 22.7W, 100W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-PowerPair™ | |
공급 장치 패키지 | 6-PowerPair™ | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIZ916DT-T1-GE3TR SIZ916DTT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SIZ916DT-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIZ916D, SIZ916DT-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | IRF9392TRPBF | MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SOIC | IRF9392TRPBF.pdf | |
![]() | 5632-RC | 10mH Unshielded Wirewound Inductor 1.5A 1.56 Ohm Max Radial | 5632-RC.pdf | |
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![]() | SM6227FB250R | RES SMD 250 OHM 1% 3W 6227 | SM6227FB250R.pdf | |
![]() | PC.104.07.0165C | 892MHz, 1.9GHz GSM, UMTS Flat Patch RF Antenna 824MHz ~ 960MHz, 1.71GHz ~ 2.17GHz 0.99dBi, 2.39dBi Connector, IPEX Adhesive | PC.104.07.0165C.pdf |