창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STV200N55F3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | STV200N55F3 | |
주요제품 | MOSFETs in PowerSO-10 Package | |
카탈로그 페이지 | 1538 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | STripFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 200A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.5m옴 @ 75A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 100nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6800pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 300W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerSO-10 노출된 하단 패드 | |
공급 장치 패키지 | 10-PowerSO | |
표준 포장 | 600 | |
다른 이름 | 497-7028-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | STV200N55F3 | |
관련 링크 | STV20, STV200N55F3 Datasheet, STMicroelectronics Distributor |
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![]() | P160-681FS | 680nH Unshielded Inductor 1.67A 44 mOhm Max Nonstandard | P160-681FS.pdf | |
![]() | 8287730000 | Optoisolator Transistor Output 1 Channel | 8287730000.pdf | |
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![]() | ERJ-PA3D5110V | RES SMD 511 OHM 0.5% 1/4W 0603 | ERJ-PA3D5110V.pdf | |
![]() | ERJ-8RQJ4R3V | RES SMD 4.3 OHM 5% 1/4W 1206 | ERJ-8RQJ4R3V.pdf | |
![]() | RNCF0402BKE10K0 | RES SMD 10K OHM 0.1% 1/16W 0402 | RNCF0402BKE10K0.pdf | |
![]() | SM2615FT1R05 | RES SMD 1.05 OHM 1% 1W 2615 | SM2615FT1R05.pdf | |
![]() | E2A-M18KS08-M1-C1 | Inductive Proximity Sensor 0.315" (8mm) IP67, IP69K Cylinder, Threaded - M18 | E2A-M18KS08-M1-C1.pdf |